3 atom kalınlığında transistör geliştirmeyi başardılar [Video]

03 Mayıs 2015 21:14

Cornell üniversitesi araştırmacıları transistör teknolojisi adına devrim yaratacak bir yeniliğe imza attı. Son yayınlanan Nature dergisinde yer alan makalede tanıtılan bu yeni teknoloji, çok güçlü elektronik cihazların üretilmesine olanak sağlayacak.

Ekibin yaptığı açıklamaya göre 3 atom inceliğindeki “transition metal dichalcogenide“(TMD) adı verilen oldukça ince ve bir o kadar da iletken olan bir tabaka üzerinde aynı incelikte transistörler yerleştirildi . Söz konusu bu film birçok teknolojik cihazın içerisinde kolayca kullanılabiliyor. Daha önceden de bilinen bu madde ile üretim yapmak eskiden çok zordu ve üretim sırasında sorunlar yaşatıyordu. Üniversite bulduğu yöntem ile bu ince filmin seri üretimi de mümkün hale geldi. Yeni teknolojinin Intel kurucularından Gordon Moore’un Moore yasası olarak adlandırılan ve 2 yılda bir elektronik devrelere yerleştirilecek eleman sayısının iki katına çıkacağı yönündeki öngörüsünü devam ettireceği belirtiliyor.

Üretilen 200 adet tabakadan yalnızca 2’sinde sorun yaşandığı ifade ediliyor. Bu da söz konusu yöntemin yüzde 99 oranında başarılı olduğunu gözler önüne seriyor. Çok daha ince ve güçlü cihazların üretimini sağlayacak olan transistörlerin kullanılabilmesi için birkaç yıl daha gerekiyor.

Paylaş